МОСФЕТ Селецтион | Н-канални МОСФЕТ принципи конструкције

Структура кристалног транзистора метал-оксид-полупроводник опште позната каоМОСФЕТ, где су МОСФЕТ-ови подељени на МОСФЕТ-ове П-типа и МОСФЕТ-ове Н-типа. Интегрисана кола састављена од МОСФЕТ-ова се такође називају МОСФЕТ интегрисана кола, а блиско повезана МОСФЕТ интегрисана кола састављена од ПМОСФЕТ-а иНМОСФЕТс називају се ЦМОСФЕТ интегрисана кола.

МОСФЕТ који се састоји од супстрата п-типа и две области н-ширења са високим вредностима концентрације назива се н-каналМОСФЕТ, а проводни канал узрокован проводљивим каналом н-типа је узрокован н-путевима ширења у два пута н-ширења са високим вредностима концентрације када цев води. н-канални задебљани МОСФЕТ-ови имају н-канал узрокован проводљивим каналом када је позитивно усмерено пристрасност подигнуто што је више могуће на гејту и само када рад извора гејта захтева радни напон који прелази гранични напон. МОСФЕТ-ови са исцрпљивањем н-канала су они који нису спремни за напон гејта (за рад извора гејта потребан је радни напон од нуле). н-канални МОСФЕТ са осиромашењем светлости је н-канални МОСФЕТ у коме је проводни канал изазван када напон гејта (радни напон за рад извора гејта је нула) није припремљен.

НМОСФЕТ интегрисана кола су Н-канална МОСФЕТ кола за напајање, НМОСФЕТ интегрисана кола, улазни отпор је веома висок, велика већина не мора да свари апсорпцију тока снаге, а самим тим и ЦМОСФЕТ и НМОСФЕТ интегрисана кола повезана без потребе да узимају у обзир узети у обзир оптерећење протока снаге.НМОСФЕТ интегрисана кола, велика већина избора једногрупних позитивних прекидачких кола за напајање струјних кола већина НМОСФЕТ интегрисаних кола користи једно позитивно прекидачко коло за напајање, и до 9В за више. ЦМОСФЕТ интегрисана кола само треба да користе исто коло за напајање прекидача за напајање као и НМОСФЕТ интегрисана кола, могу се одмах повезати са НМОСФЕТ интегрисаним колима. Међутим, од НМОСФЕТ-а до ЦМОСФЕТ-а се одмах повезује, јер је излазни отпор повлачења НМОСФЕТ-а мањи од отпора повлачења са кључем ЦМОСФЕТ интегрисаног кола, па покушајте да примените отпорник за повлачење разлике потенцијала Р, вредност отпорника Р је углавном 2 до 100КΩ.

Конструкција Н-каналних задебљаних МОСФЕТ-ова
На силицијумској подлози типа П са ниском вредношћу концентрације допинга, направљена су два Н региона са високом вредношћу концентрације допинга, а две електроде су извучене из алуминијумског метала да служе као одвод д и извор с, респективно.

Затим у површини полупроводничке компоненте маскира веома танак слој изолационе цеви од силицијум диоксида, у дренажној - изворној изолационој цеви између дрена и извора друге алуминијумске електроде, као гејт г.

У подлогу такође изведите електроду Б, која се састоји од Н-каналног дебелог МОСФЕТ-а. МОСФЕТ извор и супстрат су генерално повезани заједно, велика већина цеви у фабрици је одавно повезана са њим, његова капија и друге електроде су изоловане између кућишта.