ИГБТ (биполарни транзистор са изолованим вратима) и МОСФЕТ (метал-оксид-полупроводнички транзистор са ефектом поља) су два уобичајена енергетска полупроводничка уређаја која се широко користе у енергетској електроници. Иако су обе основне компоненте у различитим апликацијама, оне се значајно разликују у неколико аспеката. Испод су главне разлике између ИГБТ и МОСФЕТ-а:
1. Принцип рада
- ИГБТ: ИГБТ комбинује карактеристике и БЈТ (биполарног спојног транзистора) и МОСФЕТ-а, што га чини хибридним уређајем. Он контролише базу БЈТ-а преко напона гејта МОСФЕТ-а, који заузврат контролише проводљивост и искључење БЈТ-а. Иако су процеси проводљивости и прекидања ИГБТ-а релативно сложени, он има мале губитке напона проводљивости и високу толеранцију напона.
- МОСФЕТ: МОСФЕТ је транзистор са ефектом поља који контролише струју у полупроводнику кроз напон капије. Када напон на капији премаши напон извора, формира се проводни слој, омогућавајући струји да тече. Насупрот томе, када је напон капије испод прага, проводни слој нестаје и струја не може да тече. Рад МОСФЕТ-а је релативно једноставан, са великом брзином пребацивања.
2. Подручја примене
- ИГБТ: Због своје толеранције високог напона, малог губитка напона проводљивости и брзих перформанси пребацивања, ИГБТ је посебно погодан за апликације велике снаге и малих губитака као што су претварачи, драјвери мотора, машине за заваривање и извори непрекидног напајања (УПС) . У овим апликацијама, ИГБТ ефикасно управља операцијама пребацивања високог напона и велике струје.
- МОСФЕТ: МОСФЕТ, са својим брзим одзивом, високим улазним отпором, стабилним перформансама пребацивања и ниском ценом, широко се користи у апликацијама мале снаге и брзог преклапања као што су напајања са прекидачким режимом, осветљење, аудио појачала и логичка кола . МОСФЕТ ради изузетно добро у апликацијама мале снаге и ниског напона.
3. Карактеристике перформанси
- ИГБТ: ИГБТ се истиче у високонапонским, високострујним апликацијама због своје способности да поднесе значајну снагу са мањим губицима проводљивости, али има спорије брзине пребацивања у поређењу са МОСФЕТ-овима.
- МОСФЕТ: МОСФЕТ-ови се одликују већим брзинама пребацивања, вишом ефикасношћу у нисконапонским апликацијама и мањим губицима снаге на вишим фреквенцијама пребацивања.
4. Заменљивост
ИГБТ и МОСФЕТ су дизајнирани и коришћени за различите сврхе и обично се не могу заменити. Избор уређаја који ће се користити зависи од специфичне примене, захтева за перформансама и разматрања трошкова.
Закључак
ИГБТ и МОСФЕТ се значајно разликују у погледу принципа рада, области примене и карактеристика перформанси. Разумевање ових разлика помаже у одабиру одговарајућег уређаја за дизајн енергетске електронике, обезбеђујући оптималне перформансе и економичност.
Време поста: 21.09.2024
