Н-канални МОСФЕТ, Н-канални метал-оксид-полупроводнички транзистор са ефектом поља, важан је тип МОСФЕТ-а. Следеће је детаљно објашњење Н-каналних МОСФЕТ-ова:
И. Основна структура и састав
Н-канални МОСФЕТ се састоји од следећих главних компоненти:
капија:контролног терминала, променом напона на капији за контролу проводног канала између извора и одвода.· ·
Извор:Одлив струје, обично повезан са негативном страном кола.· ·
одвод: прилив струје, обично повезан са оптерећењем кола.
Подлога:Обично је полупроводнички материјал П-типа, који се користи као супстрат за МОСФЕТ-ове.
Изолатор:Смештен између капије и канала, обично је направљен од силицијум диоксида (СиО2) и делује као изолатор.
ИИ. Принцип рада
Принцип рада Н-каналног МОСФЕТ-а заснива се на ефекту електричног поља, који се одвија на следећи начин:
Статус искључења:Када је напон гејта (Вгс) нижи од напона прага (Вт), не формира се проводни канал Н-типа у супстрату П-типа испод капије, па је стога гранично стање између извора и одвода на месту а струја не може да тече.
Стање проводљивости:Када је напон капије (Вгс) већи од напона прага (Вт), рупе у подлози типа П испод капије се одбијају, формирајући слој исцрпљености. Са даљим повећањем напона гејта, електрони се привлаче на површину супстрата П-типа, формирајући проводни канал Н-типа. У овом тренутку се формира пут између извора и одвода и струја може да тече.
ИИИ. Врсте и карактеристике
Н-канални МОСФЕТ-ови се могу класификовати у различите типове према њиховим карактеристикама, као што су режим побољшања и режим исцрпљивања. Међу њима, МОСФЕТ-ови модуса побољшања су у граничном стању када је напон гејта нула, и треба да примене позитиван напон на гејту да би спровели; док су МОСФЕТ-ови у режиму исцрпљивања већ у проводном стању када је напон гејта нула.
Н-канални МОСФЕТ-ови имају многе одличне карактеристике као што су:
Висока улазна импеданса:Гејт и канал МОСФЕТ-а су изоловани изолационим слојем, што резултира изузетно високом улазном импедансом.
Ниска бука:Пошто рад МОСФЕТ-а не укључује убризгавање и спајање мањинских носача, бука је ниска.
Мала потрошња енергије: МОСФЕТ-ови имају ниску потрошњу енергије у укљученим и искљученим стањима.
Карактеристике брзог пребацивања:МОСФЕТ-ови имају изузетно велике брзине пребацивања и погодни су за високофреквентна кола и дигитална кола велике брзине.
ИВ. Области примене
Н-канални МОСФЕТ-ови се широко користе у разним електронским уређајима због својих одличних перформанси, као што су:
Дигитална кола:Као основни елемент кола логичких капија, имплементира обраду и контролу дигиталних сигнала.
Аналогна кола:Користи се као кључна компонента у аналогним колима као што су појачала и филтери.
Енергетска електроника:Користи се за контролу енергетских електронских уређаја као што су прекидачки извори напајања и моторни погони.
Остале области:Као што су ЛЕД осветљење, аутомобилска електроника, бежичне комуникације и друге области такође се широко користе.
Укратко, Н-канални МОСФЕТ, као важан полупроводнички уређај, игра незаменљиву улогу у савременој електронској технологији.
Време поста: 13.09.2024
