Данас, са брзим развојем науке и технологије, полупроводници се користе у све више индустрија, у којимаМОСФЕТ се такође сматра веома честим полупроводничким уређајем, следећи корак је да разумемо која је разлика између карактеристика биполарног транзистора снаге кристала и МОСФЕТ излазне снаге.
1, начин рада
МОСФЕТ је посао потребан за промовисање радног напона, дијаграми кола објашњавају релативно једноставно, промовишу снагу малих; снага кристалног транзистора је проток снаге за промовисање дизајна програма је сложенији, за промовисање спецификације избора тешко промовисати спецификација ће угрозити напајање укупну брзину пребацивања.
2, укупна брзина пребацивања напајања
МОСФЕТ под утицајем температуре је мали, излазна снага прекидача напајања може осигурати да више од 150КХз; Снажни кристални транзистор има врло мало времена за складиштење бесплатних пуњења, брзину пребацивања напајања, али његова излазна снага углавном није већа од 50КХз.
3、Безбедан радни простор
Повер МОСФЕТ нема секундарну основу, а безбедно радно подручје је широко; енергетски кристални транзистор има секундарну основну ситуацију, што ограничава безбедно радно подручје.
4、Радни напон за радни напон електричног проводника
ПоверМОСФЕТ припада високонапонском типу, радни напон за проводљивост је већи, постоји позитиван температурни коефицијент; моћни кристални транзистор без обзира колико новца је отпоран на радни напон радног захтева, радни напон за радни напон електричног проводника је нижи и има негативан температурни коефицијент.
5, максимални проток снаге
Снага МОСФЕТ у прекидачком струјном кругу струјног кола круга напајања кругу напајања као прекидач за напајање, у раду и стабилном раду у средини, максимални проток снаге је мањи; и моћни кристални транзистор у раду и стабилан рад у средини, максимални проток снаге је већи.
6、Цена производа
Цена МОСФЕТ-а за напајање је нешто већа; цена кристалне триоде снаге је нешто нижа.
7、Ефекат пенетрације
Повер МОСФЕТ нема ефекат пенетрације; моћни кристални транзистор има ефекат пенетрације.
8、Губитак при пребацивању
Губитак при пребацивању МОСФЕТ-а није велики; Губитак пребацивања транзистора снаге кристала је релативно велики.
Поред тога, велика већина моћних МОСФЕТ-ова интегрисаних диода за апсорпцију удара, док биполарни транзистор снаге кристала готово да нема интегрисане диоде за апсорпцију удара. МОСФЕТ диода за апсорпцију удара такође може бити универзални магнет за пребацивање струјних кола магнетних намотаја како би се дао угао фактора снаге сигурносног канала струјног тока. Цев са ефектом поља у диоди која апсорбује ударце у целом процесу искључивања са општом диодом као постојање повратног струјног тока опоравка, у овом тренутку диода с једне стране заузима одвод - изворни пол позитиван средиште значајног пораст радних захтева радног напона, са друге стране, и проток струје повратног опоравка.
Време поста: 24. мај 2024
