Увод у принцип рада најчешће коришћених МОСФЕТ-ова велике снаге

Данас на често коришћеној високој сназиМОСФЕТда укратко представим њен принцип рада. Погледајте како реализује сопствени рад.

 

Метал-Окиде-Семицондуцтор односно Метал-Окиде-Семицондуцтор, управо, овај назив описује структуру МОСФЕТ-а у интегрисаном колу, односно: у одређеној структури полупроводничког уређаја, у спрези са силицијум-диоксидом и металом, формирање од капије.

 

Извор и одвод МОСФЕТ-а су супротстављени, обе су зоне Н-типа формиране у задњој капији П-типа. У већини случајева, две области су исте, чак и ако два краја подешавања неће утицати на перформансе уређаја, такав уређај се сматра симетричним.

 

Класификација: према врсти материјала канала и типу изолованих капија сваког Н-канала и П-канала два; према проводном режиму: МОСФЕТ се дели на исцрпљивање и побољшање, па се МОСФЕТ дели на осиромашење и побољшање Н-канала; Смањење П-канала и побољшање четири главне категорије.

МОСФЕТ принцип рада - структурне карактеристикеМОСФЕТон спроводи само један носач поларитета (поли) укључен у проводљивост, је униполарни транзистор. Проводни механизам је исти као и МОСФЕТ мале снаге, али структура има велику разлику, МОСФЕТ мале снаге је хоризонтални проводни уређај, већина МОСФЕТ-а снаге вертикална проводљива структура, позната и као ВМОСФЕТ, која у великој мери побољшава МОСФЕТ способност уређаја да издржи напон и струју. Главна карактеристика је да постоји слој изолације од силицијум диоксида између металне капије и канала, и стога има висок улазни отпор, цев проводи у две високе концентрације н дифузионе зоне да би се формирао проводни канал н-типа. МОСФЕТ-ови за побољшање н-канала морају се применити на капију са преднагибом, и то само када је напон извора гејта већи од напона прага проводног канала који генерише н-канални МОСФЕТ. МОСФЕТ типа н-каналног осиромашења су н-канални МОСФЕТ-ови у којима се проводни канали генеришу када се не примењује напон гејта (напон извора гејта је нула).

 

Принцип рада МОСФЕТ-а је да контролише количину „индукованог наелектрисања“ коришћењем ВГС-а за промену стања проводног канала формираног „индукованим наелектрисањем“, а затим и постизање сврхе контроле струје одвода. У производњи цеви, кроз процес изолационог слоја долази до појаве великог броја позитивних јона, па се на другој страни интерфејса може индуковати више негативног наелектрисања, ова негативна наелектрисања до високог продора нечистоћа у Н. регион повезан са формирањем проводног канала, чак иу ВГС = 0 такође постоји велика струја цурења ИД. када се промени напон гејта, мења се и количина наелектрисања индукованог у каналу, мењају се и ширина проводног канала и ускост канала, а тиме и ИД струје цурења са напоном гејта. ИД струје варира са напоном капије.

 

Сада је применаМОСФЕТје увелико побољшао учење људи, радну ефикасност и истовремено побољшао квалитет нашег живота. Имамо рационалније разумевање тога кроз неко једноставно разумевање. Не само да ће се користити као алат, више разумевања његових карактеристика, принципа рада, што ће нам такође пружити велику забаву.