МОСФЕТ-ови (метал-оксид-семипроводнички транзистор са ефектом поља) се често сматрају потпуно контролисаним уређајима. То је зато што је радно стање (укључено или искључено) МОСФЕТ-а у потпуности контролисано напоном гејта (Вгс) и не зависи од основне струје као у случају биполарног транзистора (БЈТ).
У МОСФЕТ-у, напон гејта Вгс одређује да ли се проводни канал формира између извора и одвода, као и ширину и проводљивост проводног канала. Када Вгс пређе гранични напон Вт, формира се проводни канал и МОСФЕТ улази у укључено стање; када Вгс падне испод Вт, проводни канал нестаје и МОСФЕТ је у стању прекида. Ова контрола је потпуно контролисана јер напон капије може независно и прецизно контролисати радно стање МОСФЕТ-а без ослањања на друге параметре струје или напона.
Насупрот томе, на радно стање полуконтролисаних уређаја (нпр. тиристора) не утиче само управљачки напон или струја, већ и други фактори (нпр. анодни напон, струја, итд.). Као резултат тога, потпуно контролисани уређаји (нпр. МОСФЕТ) обично нуде боље перформансе у смислу тачности и флексибилности контроле.
Укратко, МОСФЕТ-ови су потпуно контролисани уређаји чије радно стање је потпуно контролисано напоном капије, и имају предности високе прецизности, велике флексибилности и ниске потрошње енергије.
Време поста: 20.09.2024
