Структура кристалног транзистора метал-оксид-полупроводник опште позната каоМОСФЕТ, где су МОСФЕТ-ови подељени на МОСФЕТ-ове П-типа и МОСФЕТ-ове Н-типа. Интегрисана кола састављена од МОСФЕТ-ова се такође називају МОСФЕТ интегрисана кола, а блиско повезана МОСФЕТ-ова интегрисана кола састављена од ПМОСФЕТ-а иНМОСФЕТс називају се ЦМОСФЕТ интегрисана кола.
МОСФЕТ који се састоји од супстрата п-типа и две области н-ширења са високим вредностима концентрације назива се н-каналМОСФЕТ, а проводни канал узрокован проводљивим каналом н-типа је узрокован н-путевима ширења у два пута н-ширења са високим вредностима концентрације када цев води. н-канални задебљани МОСФЕТ-ови имају н-канал узрокован проводљивим каналом када је позитивно усмерено пристрасност подигнуто што је више могуће на гејту и само када рад извора гејта захтева радни напон који прелази гранични напон. МОСФЕТ-ови са исцрпљивањем н-канала су они који нису спремни за напон гејта (за рад извора гејта потребан је радни напон од нуле). н-канални МОСФЕТ са осиромашењем светлости је н-канални МОСФЕТ у коме је проводни канал изазван када напон гејта (радни напон за рад извора гејта је нула) није припремљен.
НМОСФЕТ интегрисана кола су Н-канална МОСФЕТ кола за напајање, НМОСФЕТ интегрисана кола, улазни отпор је веома висок, велика већина не мора да свари апсорпцију тока снаге, а самим тим и ЦМОСФЕТ и НМОСФЕТ интегрисана кола повезана без потребе да узимају у обзир рачунају оптерећење протока снаге.НМОСФЕТ интегрисана кола, велика већина избора једногрупних позитивних прекидачких кола за напајање струјних кола Већина НМОСФЕТ интегрисаних кола користи једно позитивно прекидачко коло за напајање струјног кола, и да 9В за више. ЦМОСФЕТ интегрисана кола само треба да користе исто коло за напајање прекидача за напајање као и НМОСФЕТ интегрисана кола, могу се одмах повезати са НМОСФЕТ интегрисаним колима. Међутим, од НМОСФЕТ-а до ЦМОСФЕТ-а се одмах повезује, јер је излазни отпор повлачења НМОСФЕТ-а мањи од отпора повлачења са кључем ЦМОСФЕТ интегрисаног кола, па покушајте да примените отпорник за повлачење разлике потенцијала Р, вредност отпорника Р је углавном 2 до 100КΩ.
Конструкција Н-каналних задебљаних МОСФЕТ-ова
На силицијумској подлози типа П са ниском вредношћу концентрације допинга, направљена су два Н региона са високом вредношћу концентрације допинга, а две електроде су извучене из алуминијумског метала да служе као одвод д и извор с, респективно.
Затим у површини полупроводничке компоненте маскира веома танак слој изолационе цеви од силицијум диоксида, у дренажној - изворној изолационој цеви између дрена и извора друге алуминијумске електроде, као гејт г.
У подлогу такође изведите електроду Б, која се састоји од Н-каналног дебелог МОСФЕТ-а. МОСФЕТ извор и супстрат су генерално повезани заједно, велика већина цеви у фабрици је одавно повезана са њим, његова капија и друге електроде су изоловане између кућишта.
Време поста: 26.05.2024
