Погледајте МОСФЕТ-ове

МОСФЕТ-ови изолују МОСФЕТ-ове у интегрисаним колима.МОСФЕТ-ови, као један од најосновнијих уређаја уполупроводник пољу, широко се користе у колима на нивоу плоче као иу дизајну ИЦ. Одвод и изворМОСФЕТс могу се заменити и формирају се у бацкгате П-типа са регионом Н-типа. Генерално, два извора су заменљива, оба формирају регион Н-типа уП-тип задња капија. Уопштено говорећи, ове две зоне су исте, па чак и ако се ове две секције пребаце, неће утицати на перформансе уређаја. Због тога се уређај сматра симетричним.

принцип:

МОСФЕТ користи ВГС да контролише количину „индукованог наелектрисања“ како би променио стање проводног канала формираног овим „индукованим наелектрисањем“ да би контролисао струју одвода. Када се МОСФЕТ-ови производе, велики број позитивних јона се појављује у изолационом слоју кроз посебне процесе, тако да се више негативних наелектрисања може осетити на другој страни интерфејса, а Н-област нечистоћа високе пермеабилности је повезана ова негативна наелектрисања и формира се проводни канал, и генерише се релативно велика струја одвода, ИД, чак и ако је ВГС 0. Ако се промени напон капије, мења се и количина индукованог наелектрисања у каналу, а ширина проводног канала мења у истој мери. Ако се напон гејта промени, промениће се и количина индукованог наелектрисања у каналу, а промениће се и ширина проводног канала, тако да ће се ИД струје одвода променити заједно са напоном гејта.

Улога:

1. Може се применити на коло појачала. Због високе улазне импедансе МОСФЕТ појачала, капацитивност спреге може бити мања и електролитски кондензатори се не могу користити.

Висока улазна импеданса је погодна за конверзију импедансе. Често се користи за конверзију импедансе у улазном степену вишестепених појачала.

3、Може се користити као променљиви отпорник.

4, може се користити као електронски прекидач.

МОСФЕТ-ови се сада користе у широком спектру апликација, укључујући високофреквентне главе у телевизорима и прекидачка напајања. Данас су биполарни обични транзистори и МОС спојени заједно да формирају ИГБТ (биполарни транзистор са изолованим вратима), који се широко користи у областима велике снаге, а МОС интегрисана кола имају карактеристику ниске потрошње енергије, а сада се ЦПУ широко користе у МОС кола.