Постоји много варијантиМОСФЕТс, углавном подељен на МОСФЕТ-ове за спојеве и МОСФЕТ-ове са изолованим вратима две категорије, и сви имају тачке Н-канала и П-канала.
Транзистор са ефектом поља метал-оксид и полупроводник, који се назива МОСФЕТ, подељен је на МОСФЕТ типа исцрпљивања и МОСФЕТ типа побољшања.
МОСФЕТ-ови су такође подељени на цеви са једним и двоструким вратима. МОСФЕТ са двоструким гејтом има два независна гејта Г1 и Г2, од конструкције еквивалента два МОСФЕТ-а са једним гејтом која су повезана у серију, а његова излазна струја се мења контролом напона са два гејта. Ова карактеристика МОСФЕТ-а са двоструким гејтом доноси велику погодност када се користе као појачала високе фреквенције, појачала за контролу појачања, миксери и демодулатори.
1, МОСФЕТврста и структура
МОСФЕТ је врста ФЕТ-а (друга врста је ЈФЕТ), може се произвести у побољшаном или осиромашеном типу, П-канал или Н-канал укупно четири типа, али теоријска примена само побољшаног Н-каналног МОСФЕТ-а и побољшаног П- канални МОСФЕТ, који се обично назива НМОС, или ПМОС се односи на ове две врсте. Што се тиче зашто не користите МОСФЕТ типа исцрпљивања, не препоручујемо потрагу за основним узроком. Што се тиче два побољшана МОСФЕТ-а, чешће се користи НМОС, разлог је тај што је отпор на укључење мали и лак за производњу. Дакле, пребацивање апликација за напајање и моторни погон, углавном користе НМОС. следећи цитат, али и више заснован на НМОС-у. три пина МОСФЕТ паразитског капацитета постоје између три пина, што није наше потребе, већ због ограничења производног процеса. Постојање паразитне капацитивности у дизајну или одабиру погонског кола да би се уштедело неко време, али не постоји начин да се избегне, а затим и детаљно упознавање. На шематском дијаграму МОСФЕТ-а може се видети одвод и извор између паразитне диоде. Ово се зове каросерија диода, у управљању рационалним оптерећењима, ова диода је веома важна. Иначе, диода тела постоји само у једном МОСФЕТ-у, обично не унутар чипа интегрисаног кола.
2, МОСФЕТ карактеристике проводљивости
Значај проводљивости је као прекидач, еквивалентан затварању прекидача. НМОС карактеристике, Вгс већи од одређене вредности ће спроводити, погодан за употребу у случају када је извор уземљен (лов-енд дриве), долази само напон капије при 4В или 10В.ПМОС карактеристикама, Вгс мањи од одређене вредности ће водити, погодан за употребу у случају када је извор повезан на ВЦЦ (хигх-енд дриве).
Међутим, наравно, ПМОС може бити веома лак за коришћење као хигх-енд драјвер, али због отпорности на укључење, скупих, мање типова размена и других разлога, у хигх-енд драјверу обично се и даље користи НМОС.
3, МОСФЕТпрекидачки губитак
Било да је у питању НМОС или ПМОС, након што постоји отпор укључења, тако да ће струја трошити енергију у овом отпору, овај део потрошене енергије назива се губитак отпора. Избор МОСФЕТ-а са малим отпором на укључење ће смањити губитак отпора. Уобичајени отпор на МОСФЕТ мале снаге је обично у десетинама милиома, тамо неколико милиома. МОС у времену укључивања и прекида, не сме бити у тренутном завршетку напона на МОС-у постоји процес пада, струја тече кроз процес пораста, за то време, губитак МОСФЕТ-а је производ напона и струје назива се комутациони губитак. Обично је комутациони губитак много већи од губитка проводљивости, а што је бржа фреквенција пребацивања, већи је губитак. Велики производ напона и струје у тренутку проводљивости представља велики губитак. Скраћивање времена укључивања смањује губитак при свакој проводљивости; смањењем фреквенције пребацивања смањује се број прекидача по јединици времена. Оба приступа могу смањити комутациони губитак.
4, МОСФЕТ погон
У поређењу са биполарним транзисторима, обично се претпоставља да није потребна струја да би МОСФЕТ спровео, само да је ГС напон изнад одређене вредности. Ово је лако урадити, међутим, потребна нам је и брзина. У структури МОСФЕТ-а можете видети да постоји паразитски капацитет између ГС, ГД, а погон МОСФЕТ-а је, у теорији, пуњење и пражњење капацитивности. Пуњење кондензатора захтева струју, а пошто се тренутно пуњење кондензатора може посматрати као кратак спој, тренутна струја ће бити висока. Избор/дизајн МОСФЕТ погона Прва ствар на коју треба обратити пажњу је величина тренутне струје кратког споја која се може обезбедити. Друга ствар на коју треба обратити пажњу је да је напон на гејту већи од напона извора, који се генерално користи у НМОС дисковима високог квалитета. Хигх-енд драјв МОС цеви напон извора проводљивости и напон одвода (ВЦЦ) исти, тако да је напон капије од ВЦЦ 4В или 10В. под претпоставком да нам је у истом систему, да бисмо добили већи напон од ВЦЦ, потребно посебно коло за појачавање. Многи драјвери мотора имају интегрисану пумпу пуњења, на коју треба обратити пажњу је да изаберете одговарајући екстерни кондензатор, како бисте добили довољно струје кратког споја за покретање МОСФЕТ-а. 4В или 10В горе речено се обично користи МОСФЕТ на напон, дизајн наравно, потреба да се има одређена маргина. Што је напон већи, то је већа брзина укљученог стања и мањи отпор у укљученом стању. Обично постоје и мањи МОСФЕТ-ови напонског напона који се користе у различитим категоријама, али у системима аутомобилске електронике од 12 В довољно је обично 4В укључено стање.
Главни параметри МОСФЕТ-а су следећи:
1. гејт извор пробојног напона БВГС - у процесу повећања напона извора гејта, тако да струја капије ИГ од нуле почиње нагло повећање ВГС-а, познатог као пробојни напон извора гејта БВГС.
2. напон укључивања ВТ - напон укључивања (такође познат као гранични напон): да извор С и одвод Д између почетка проводног канала чине потребни напон гејта; - стандардизовани Н-канални МОСФЕТ, ВТ је око 3 ~ 6В; - након процеса побољшања, може смањити МОСФЕТ ВТ вредност на 2 ~ 3В.
3. Напон пробоја одвода БВДС - под условом ВГС = 0 (појачано), у процесу повећања напона одвода тако да ИД почиње драматично да расте када се ВДС назива пробојни напон одвода БВДС - ИД се драматично повећава због следећа два аспекта:
(1) лавински слом осиромашеног слоја у близини дренажне електроде
(2) квар пенетрације између полова одвода и извора - неки МОСФЕТ малог напона, дужина његовог канала је кратка, с времена на време да би се повећао ВДС ће учинити да се област одвода слоја исцрпљивања с времена на време прошири на регион извора , тако да ће дужина канала од нуле, односно између пенетрације дрејн-извор, пенетрације, изворног региона већине носилаца, изворног региона, бити равна да издржи осиромашени слој апсорпције електричног поља, да стигне до региона цурења, што резултира великим ИД.
4. ДЦ улазни отпор РГС-тј., однос доданог напона између извора гејта и струје гејта, ова карактеристика се понекад изражава у терминима струје гејта која тече кроз гејт МОСФЕТ РГС може лако да пређе 1010Ω. 5.
5. нискофреквентна транскондуктивност гм у ВДС-у за фиксну вредност услова, микроваријанса струје одвода и микроваријанса напона извора гејта узрокована овом променом се назива транскондуктивност гм, што одражава контролу напона извора гејта на струја одвода треба да покаже да је МОСФЕТ појачање важног параметра, генерално у опсегу од неколико до неколико мА/В. МОСФЕТ може лако да пређе 1010Ω.
Време поста: 14. мај 2024
