Која је разлика између МОСФЕТ-а и ИГБТ-а? Олукеи ће одговорити на ваша питања!

Као прекидачки елементи, МОСФЕТ и ИГБТ се често појављују у електронским колима. Такође су слични по изгледу и карактеристичним параметрима. Верујем да ће се многи људи запитати зашто нека кола морају да користе МОСФЕТ, док друга то раде. ИГБТ?

Која је разлика између њих? Следеће,Олукеиодговориће на ваша питања!

Шта је аМОСФЕТ?

МОСФЕТ, пуно кинеско име је транзистор са ефектом поља метал-оксид полупроводника. Пошто је капија овог транзистора са ефектом поља изолована изолационим слојем, назива се и транзистор са ефектом поља са изолованим капима. МОСФЕТ се може поделити на два типа: "Н-тип" и "П-тип" према поларитету његовог "канала" (радног носача), који се обично назива и Н МОСФЕТ и П МОСФЕТ.

Сам МОСФЕТ има сопствену паразитску диоду, која се користи да спречи да МОСФЕТ прегори када је ВДД пренапон. Јер пре него што пренапон изазове оштећење МОСФЕТ-а, диода се прво квари и усмерава велику струју на земљу, чиме се спречава да МОСФЕТ изгори.

Шта је ИГБТ?

ИГБТ (Инсулатед Гате Биполар Трансистор) је сложени полупроводнички уређај састављен од транзистора и МОСФЕТ-а.

Симболи кола ИГБТ још увек нису уједињени. Приликом цртања шематског дијаграма, симболи триоде и МОСФЕТ-а се углавном позајмљују. У овом тренутку можете проценити да ли је то ИГБТ или МОСФЕТ из модела означеног на шематском дијаграму.

Истовремено, треба обратити пажњу и на то да ли ИГБТ има тело диоду. Ако није означено на слици, не значи да не постоји. Осим ако званични подаци изричито не наводе другачије, ова диода је присутна. Диода тела унутар ИГБТ-а није паразитска, али је посебно подешена да заштити крхки повратни отпорни напон ИГБТ-а. Такође се зове ФВД (фреевхеелинг диода).

Унутрашња структура ова два је различита

Три пола МОСФЕТ-а су извор (С), одвод (Д) и капија (Г).

Три пола ИГБТ-а су колектор (Ц), емитер (Е) и капија (Г).

ИГБТ се конструише додавањем додатног слоја на одвод МОСФЕТ-а. Њихова унутрашња структура је следећа:

Поља примене ова два су различита

Унутрашње структуре МОСФЕТ-а и ИГБТ-а су различите, што одређује њихова поља примене.

Због структуре МОСФЕТ-а, он обично може да постигне велику струју, која може да достигне КА, али предусловна способност отпорности на напон није тако јака као ИГБТ. Његове главне области примене су прекидачка напајања, баласти, високофреквентно индукционо грејање, високофреквентне инвертерске машине за заваривање, комуникациона напајања и друга поља високофреквентног напајања.

ИГБТ може произвести много снаге, струје и напона, али фреквенција није превисока. Тренутно, тврда брзина пребацивања ИГБТ може да достигне 100КХЗ. ИГБТ се широко користи у машинама за заваривање, инвертерима, фреквентним претварачима, електролитичким напајањима за галванизацију, ултразвучном индукционом грејању и другим пољима.

Главне карактеристике МОСФЕТ-а и ИГБТ-а

МОСФЕТ има карактеристике високе улазне импедансе, велике брзине пребацивања, добре термичке стабилности, струје контроле напона, итд. У колу се може користити као појачало, електронски прекидач и друге сврхе.

Као нови тип електронског полупроводничког уређаја, ИГБТ има карактеристике високе улазне импедансе, нисконапонске контролне потрошње енергије, једноставног контролног кола, високог напонског отпора и велике толеранције струје, и широко се користи у различитим електронским колима.

Идеално еквивалентно коло ИГБТ је приказано на слици испод. ИГБТ је заправо комбинација МОСФЕТ-а и транзистора. МОСФЕТ има недостатак високог отпора на укључење, али ИГБТ превазилази овај недостатак. ИГБТ и даље има низак отпор при високом напону. .

Генерално, предност МОСФЕТ-а је у томе што има добре високофреквентне карактеристике и може да ради на фреквенцији од стотине кХз и до МХз. Недостатак је што је отпор на укључење велики и велика потрошња енергије у ситуацијама високог напона и велике струје. ИГБТ ради добро у ситуацијама ниске фреквенције и велике снаге, са малим отпором на укључење и високим отпорним напоном.

Изаберите МОСФЕТ или ИГБТ

У кругу, да ли одабрати МОСФЕТ као цев прекидача за напајање или ИГБТ је питање са којим се инжењери често сусрећу. Ако се узму у обзир фактори као што су напон, струја и склопна снага система, могу се сумирати следеће тачке:

Људи често питају: "Да ли је бољи МОСФЕТ или ИГБТ?" У ствари, нема добре или лоше разлике између то двоје. Најважније је видети његову стварну примену.

Ако и даље имате питања о разлици између МОСФЕТ-а и ИГБТ-а, можете контактирати Олукеи за детаље.

Олукеи углавном дистрибуира ВИНСОК средње и нисконапонске МОСФЕТ производе. Производи се широко користе у војној индустрији, ЛЕД / ЛЦД управљачким плочама, плочама за моторе, брзом пуњењу, електронским цигаретама, ЛЦД мониторима, напајањима, малим кућним апаратима, медицинским производима и Блуетоотх производима. Електронске ваге, електроника возила, мрежни производи, кућни апарати, компјутерска периферија и разни дигитални производи.